Si2304BDS-T1-GE3_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.0A 參數(shù)4：RDON/29.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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Si2304BDS-T1-GE3 是一款高性能N溝道MOSFET，采用SOT-23封裝，專為緊湊型電子設(shè)備設(shè)計(jì)。器件具有30V的最大漏源電壓(VDSS)和4A連續(xù)漏極電流(ID)，提供強(qiáng)大的電流處理能力。其低至29mΩ的導(dǎo)通電阻(RD(on))，有利于降低系統(tǒng)功耗并提高能效。適用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動、負(fù)載開關(guān)等多種應(yīng)用場合，是追求高集成度與節(jié)能效果的理想半導(dǎo)體組件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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