SQ2303ES-T1_GE3_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.1A 參數(shù)4：RDON/48.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
SQ2303ES-T1_GE3 MOS管是一款高性能P溝道半導(dǎo)體器件，采用精巧的SOT-23封裝工藝，適用于對空間要求嚴(yán)苛的應(yīng)用環(huán)境。器件特性優(yōu)越，額定電壓高達30V，連續(xù)電流承載能力達到4.1A，尤為突出的是僅48mΩ的導(dǎo)通電阻，有效保證了系統(tǒng)的高效能與低功耗。廣泛應(yīng)用在電源轉(zhuǎn)換、負載切換、電池管理及各類智能電子設(shè)備中，助力工程師實現(xiàn)高集成度與卓越性能的設(shè)計方案。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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