Si2302CDS-T1-GE3_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/2.3A 參數(shù)4：RDON/48.0mR 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
Si2302CDS-T1-GE3 型號MOS管采用微型SOT-23封裝，內(nèi)置先進N溝道技術(shù)，專為優(yōu)化電路效率而生。該器件工作在20V的漏源電壓(VDSS)下，可承載最大2.3A的連續(xù)漏極電流(ID)，適合于中小功率應(yīng)用場合。尤為突出的是其48mR的低導(dǎo)通電阻(RD(on))，有效減少功率損耗，提升系統(tǒng)效能。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負載開關(guān)控制及低壓電子設(shè)備的開關(guān)電路中，是您提升產(chǎn)品性能與節(jié)能效果的理想半導(dǎo)體元件選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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