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SQ2309ES-T1_GE3_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝:SOT-23 類別:場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:3000圓盤(pán) 參數(shù)1:P溝道 參數(shù)2:VDSS/60.0V 參數(shù)3:ID/2.0A 參數(shù)4:RDON/160.0mR 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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SQ2309ES-T1_GE3 是一款P溝道MOSFET,采用小巧的SOT-23封裝,適應(yīng)高密度電路板布局。器件提供60V的漏源耐壓(VDSS),并能在低導(dǎo)通電阻160mR(RD(on))下穩(wěn)定傳輸2A漏極電流(ID)。適用于電池保護(hù)、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電源管理等領(lǐng)域,此款MOS管以其出色的電壓承受能力和高效的電流控制性能,為您的電路設(shè)計(jì)帶來(lái)更高的靈活性與可靠性。



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  • 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
  • 高新企業(yè)

  • 聯(lián) 系 人:連先生
  • 聯(lián)系電話:13823583904
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