SI1012X-T1-GE3_SOT-523_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-523 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/0.8A 參數(shù)4：RDON/100.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
SI1012X-T1-GE3 是一款采用先進(jìn)SOT-523封裝技術(shù)的高性能N溝道MOS管。器件具有強(qiáng)大而穩(wěn)定的電氣性能，額定電壓VDSS高達(dá)20V，可持續(xù)提供0.8A的最大電流ID，同時擁有出色的導(dǎo)通電阻RD(on)低至100mR，確保高效低耗運(yùn)行。這款MOS管廣泛應(yīng)用于各類電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載驅(qū)動、便攜設(shè)備以及智能硬件領(lǐng)域，憑借其卓越的性能和緊湊封裝，為用戶在設(shè)計過程中實現(xiàn)最佳的功率管理方案。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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