SI7613DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/48.0A 參數(shù)4：RDON/7.5mR 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
SI7613DN-T1-GE3 P溝道MOS管，采用小型化DFN3X3-8L封裝工藝，實現(xiàn)更高集成度與散熱效率。器件工作電壓VDSS高達20V，最大連續(xù)漏極電流ID為48A，彰顯卓越的電流傳送性能。其亮點在于極低的導(dǎo)通電阻RD(on)僅為7.5mΩ，有助于大幅削減系統(tǒng)損耗，提升整體效能。這款MOS管適用于電源管理、電池保護等高電流應(yīng)用場合，憑借強大的電流承載能力和優(yōu)秀的能效表現(xiàn)，SI7613DN-T1-GE3 成為現(xiàn)代電子產(chǎn)品設(shè)計的理想半導(dǎo)體組件選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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