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NVTFS008N04C_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN3X3-8L 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:5000圓盤 參數(shù)1:N溝道 參數(shù)2:VDSS/40.0V 參數(shù)3:ID/60.0A 參數(shù)4:RDON/6.9mR 標價:歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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NVTFS008N04C 是一款N溝道MOSFET,采用緊湊型DFN3X3-8L封裝,特別適用于空間有限和高集成度的電子設(shè)計。器件具有40V的漏源電壓(VDSS),能夠承載高達60A的連續(xù)漏極電流(ID),并擁有優(yōu)異的導(dǎo)通電阻性能,僅為6.9mΩ(RD(on)),確保了高效的功率轉(zhuǎn)換和較低的損耗。該MOS管廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換器、電池管理系統(tǒng)、電機驅(qū)動等高功率應(yīng)用場合,是您提升系統(tǒng)性能和能效的理想選擇。



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  • 深圳市華軒陽電子有限公司
  • 高新企業(yè)

  • 聯(lián) 系 人:連先生
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  • 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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