SI7108DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN3X3-8L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/4.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
SI7108DN-T1-GE3 MOS管，采用業(yè)界領(lǐng)先的N溝道設(shè)計(jì)，封裝緊湊且高效——DFN3X3-8L規(guī)格，特別適用于空間有限的精密電路。該器件擁有20V的穩(wěn)定工作電壓VDSS，最大連續(xù)電流可達(dá)60A，展現(xiàn)出卓越的電流處理能力。尤為突出的是其超低的導(dǎo)通電阻僅4mR，旨在提升系統(tǒng)能效，減少損耗。此款MOS管適用于高功率密度應(yīng)用，包括但不限于電源轉(zhuǎn)換器、大電流開(kāi)關(guān)控制器等，是追求高性能電子產(chǎn)品的必備元件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話(huà)：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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