SI7619DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/25.0A 參數(shù)4：RDON/16.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
SI7619DN-T1-GE3 是一款高效的P溝道MOSFET，采用緊湊型DFN3X3-8L封裝，旨在優(yōu)化空間受限的設(shè)計。器件具有30V的電壓額定值VDSS，可承載高達25A的連續(xù)漏極電流ID，展示了卓越的電力處理性能。其特色在于擁有低至16mΩ的導(dǎo)通電阻RD(on)，有效降低功率損耗，提高能源效率。廣泛應(yīng)用在電源轉(zhuǎn)換、電池管理系統(tǒng)、大型電機驅(qū)動等領(lǐng)域，SI7619DN-T1-GE3 MOS管是您追求高性能與節(jié)能設(shè)計的理想伙伴。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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