RQ3E130MN_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/6.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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RQ3E130MN 是一款高性能N溝道MOSFET，采用小型化DFN3X3-8L封裝，專為大電流、低阻抗應(yīng)用設(shè)計(jì)。器件提供30V的漏源電壓(VDSS)，在6mR的超低導(dǎo)通電阻(RD(on))下，能夠承載高達(dá)60A的漏極電流(ID)。廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電池管理系統(tǒng)、電機(jī)驅(qū)動等領(lǐng)域，憑借其出色的電流承載能力和卓越的能效性能，是優(yōu)化系統(tǒng)效能、降低能耗的理想半導(dǎo)體元件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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