SISA96DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/50.0A 參數(shù)4：RDON/7.5mR 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
SISA96DN-T1-GE3 是一款N溝道MOS管，采用緊湊型DFN3X3-8L封裝，專為現(xiàn)代電子設備的小型化和高性能需求打造。該器件能在30V的最大漏源電壓(VDSS)下工作，提供50A的連續(xù)漏極電流(ID)，展現(xiàn)出卓越的電流處理能力。其導通電阻(RD(on))低至7.5mΩ，有效降低了功率損耗，提升了電路效率，廣泛應用于電源轉換、負載開關、電池管理系統(tǒng)等高要求應用場景，是您實現(xiàn)高效節(jié)能設計的理想半導體元件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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