ST16N10_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/100.0V 參數3：ID/15.0A 參數4：RDON/100.0mR 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
ST16N10 N溝道MOS管，采用緊湊型TO-252-2L封裝，適用于100V高電壓環(huán)境下的中等電流應用。器件提供高達100V的漏源電壓(VDSS)和15A的連續(xù)漏極電流(ID)，確保在高電壓系統(tǒng)中的穩(wěn)定性能表現。其導通電阻RD(on)為100mR，盡管電阻值相對較高，但在合理電流范圍內仍能維持高效能。廣泛應用于開關電源、電機驅動、電池管理系統(tǒng)等領域，是注重成本與性能平衡的優(yōu)秀半導體組件。
