RD3P050SNTL1_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/15.0A 參數(shù)4：RDON/100.0mR 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
RD3P050SNTL1 N溝道MOS管，采用TO-252-2L封裝，針對100V高電壓下的中等電流應用設計。該器件提供高達100V的漏源電壓(VDSS)和15A的連續(xù)漏極電流(ID)，在高壓環(huán)境中表現(xiàn)出色。盡管其導通電阻RD(on)為100mR，但依舊能在適當?shù)碾娏骷墑e上確保穩(wěn)定和有效的功率傳輸。廣泛適用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動控制、電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域，是兼具性能與經(jīng)濟效益的優(yōu)質(zhì)半導體元件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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