SUD35N10-26P_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/50.0A 參數(shù)4：RDON/18.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
SUD35N10-26P N溝道MOS管，采用緊湊型TO-252-2L封裝，專為高效率功率轉(zhuǎn)換設(shè)計。該器件擁有100V的出色漏源耐壓(VDSS)，并能穩(wěn)定承載高達(dá)50A的連續(xù)漏極電流(ID)，充分體現(xiàn)了其卓越的功率處理性能。其導(dǎo)通電阻RD(on)為18mΩ，以較低的電阻損耗幫助提升系統(tǒng)能效，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電池管理系統(tǒng)、電機(jī)驅(qū)動等場合，是高電壓、大電流應(yīng)用的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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