IRFR8314PBF_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/150.0A 參數(shù)4：RDON/2.0mR 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
IRFR8314PBF N溝道MOS管，采用TO-252-2L封裝，專為高性能電源管理和電機驅(qū)動應用設計。器件能在30V的最大漏源電壓(VDSS)下運行，并能處理高達150A的連續(xù)漏極電流(ID)，展現(xiàn)出強大的電流處理能力。其關鍵特性在于極低的導通電阻RD(on)僅為2mΩ，這將大幅度降低系統(tǒng)內(nèi)部損耗，提升整體效率，成為開關電源、逆變器、充電設備等領域的理想半導體元件選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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