IPD90N03S4L-03_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/150.0A 參數(shù)4：RDON/2.0mR 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
IPD90N03S4L-03 是一款高功率N溝道MOSFET，采用TO-252-2L封裝，適用于大電流、高效率的電路設(shè)計。器件特點包括最大漏源電壓(VDSS)30V，可承受高達150A的連續(xù)漏極電流(ID)，尤其突出的是其超低導(dǎo)通電阻(RD(on))僅為2mR，確保在大電流應(yīng)用中實現(xiàn)卓越的能效比。此款MOS管廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電動車充電設(shè)備、太陽能逆變器等高功率領(lǐng)域，是系統(tǒng)效能優(yōu)化的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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