DMN3009SK3_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/150.0A 參數(shù)4：RDON/2.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
DMN3009SK3 N溝道MOS管采用緊湊型TO-252-2L封裝，專為高功率密度及空間受限的設(shè)計需求打造。此器件配備30V的最大漏源電壓(VDSS)，可承載高達150A的連續(xù)漏極電流(ID)，充分展示了其卓越的電力處理能力。尤為突出的是其業(yè)界領(lǐng)先的2mΩ導(dǎo)通電阻(RD(on))，顯著降低傳導(dǎo)損耗，大幅提升系統(tǒng)能效，是追求極致性能與節(jié)能效果的理想半導(dǎo)體組件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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