DMN3016LK3_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/50.0A 參數(shù)4：RDON/7.5mR 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
DMN3016LK3 是一款高性能N溝道MOSFET，采用TO-252-2L封裝，適用于高功率應(yīng)用場合。器件具有出色電氣參數(shù)工作電壓VDSS高達30V，可承載高達50A的連續(xù)電流ID，尤為突出的是其超低導(dǎo)通電阻RD(on)僅為7.5mR，確保了在大電流下的高效能與低熱損。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、逆變器和電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域，是優(yōu)化系統(tǒng)能效、增強可靠性的理想半導(dǎo)體組件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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