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NTD3055-150_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:2500圓盤 參數(shù)1:N溝道 參數(shù)2:VDSS/60.0V 參數(shù)3:ID/20.0A 參數(shù)4:RDON/27.0mR 標(biāo)價:歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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NTD3055-150 是一款高性能N溝道MOSFET,采用TO-252-2L封裝,具有卓越的散熱性能和空間節(jié)省設(shè)計。在60V的最大漏源電壓(VDSS)下,能穩(wěn)定傳輸20A的漏極電流(ID),適用于高電壓、大電流應(yīng)用場景。27mΩ的低導(dǎo)通電阻有效提升了整體系統(tǒng)能效,降低了功耗。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動等眾多領(lǐng)域,是工程師構(gòu)建高效、節(jié)能電路的理想半導(dǎo)體組件。



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