NTD20N06L_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/27.0mR 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
NTD20N06L N溝道MOS管采用小型化TO-252-2L封裝，適合空間有限的設(shè)計需求。其關(guān)鍵特性包括60V的最高漏源電壓(VDSS)和20A的強大連續(xù)漏極電流(ID)，確保在高電壓、大電流條件下仍保持卓越性能。更值得關(guān)注的是，導(dǎo)通電阻僅有27mΩ，極大地提高了系統(tǒng)能效并減小了熱損耗。此款MOS管廣泛應(yīng)用在電源轉(zhuǎn)換、電機控制等多種場合，是高性價比且性能可靠的電子元件優(yōu)選。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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