IRFR024NPBF_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/27.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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IRFR024NPBF 是一款高性能N溝道MOSFET，封裝采用業(yè)界流行的TO-252-2L，具有良好的散熱性能和緊湊尺寸。該器件在60V的最大漏源電壓(VDSS)下，可承載高達(dá)20A的連續(xù)漏極電流(ID)，尤其適用于高壓大電流應(yīng)用場景。其內(nèi)部導(dǎo)通電阻僅為27mΩ，有效提升了系統(tǒng)效率并降低了功耗。廣泛運(yùn)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動等電子設(shè)計(jì)中，是您尋求高效、可靠半導(dǎo)體解決方案的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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