FDD1600N10ALZ_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/15.0A 參數(shù)4：RDON/100.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
FDD1600N10ALZ N溝道MOS管，采用TO-252-2L封裝，為100V高電壓、中等電流應(yīng)用量身打造。器件提供100V的最大漏源電壓(VDSS)，并支持高達15A的連續(xù)漏極電流(ID)，確保在高壓電路中穩(wěn)定可靠運行。其導(dǎo)通電阻RD(on)為100mR，雖然并非超低電阻，但足以滿足許多通用電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)及基礎(chǔ)電機驅(qū)動的需求，是兼顧性能與成本效益的理想半導(dǎo)體元件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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