DMN6068LK3_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/27.0mR 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
DMN6068LK3 N溝道MOS管采用緊湊型TO-252-2L封裝，具備優(yōu)越的電氣性能。其額定最大漏源電壓(VDSS)為60V，能夠承受高電壓工作環(huán)境，同時提供高達20A的連續(xù)漏極電流(ID)，確保強大驅(qū)動力。導通電阻僅27mΩ，有效提升系統(tǒng)工作效率，減少不必要的能量損耗。該器件適用于各類電源轉(zhuǎn)換、電機控制應用，是您構(gòu)建高效、節(jié)能電子系統(tǒng)的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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- 聯(lián) 系 人：連先生
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