IPD050N03LG_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/100.0A 參數(shù)4：RDON/3.8mR 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
IPD050N03LG 是一款N溝道MOSFET，采用TO-252-2L封裝，專為高功率、大電流應(yīng)用設(shè)計。該器件具有30V的漏源電壓(VDSS)，在3.8mR的超低導(dǎo)通電阻(RD(on))下，能夠承載高達100A的漏極電流(ID)。廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動、快速充電器等領(lǐng)域，憑借其出色的電流處理能力和高能效表現(xiàn)，成為提升系統(tǒng)性能、降低能耗的理想半導(dǎo)體元件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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