IPD088N06N3G_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/6.5mR 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
IPD088N06N3G 是一款高品質(zhì)N溝道MOSFET，封裝形式為TO-252-2L，專為高效率、大電流應(yīng)用設(shè)計。該器件具有卓越的電氣性能，最大耐壓值高達60V(VDSS)，可承載連續(xù)漏極電流高達80A(ID)，且在常態(tài)下展現(xiàn)出超低的導(dǎo)通電阻6.5mΩ(RD(on))，有效降低功率損耗，提高系統(tǒng)運行效率。這款MOS管憑借出色的穩(wěn)定性和耐用性，廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動等場合，是您構(gòu)建高性能電子系統(tǒng)的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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