IRLR2703_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/15.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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IRLR2703 是一款高性能N溝道MOSFET，采用標(biāo)準(zhǔn)TO-252-2L封裝，專為處理大電流和高效率應(yīng)用而設(shè)計(jì)。器件具有30V的最大漏源電壓(VDSS)，并且可以安全地傳導(dǎo)高達(dá)20A的連續(xù)漏極電流，展現(xiàn)強(qiáng)大的電流傳送能力。其亮點(diǎn)在于僅15mΩ的超低導(dǎo)通電阻(RD(on))，從而實(shí)現(xiàn)卓越的能源轉(zhuǎn)換效率和減少功率損耗。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、大電流開關(guān)電路等多個(gè)領(lǐng)域，是您構(gòu)建高效、可靠電子系統(tǒng)的理想半導(dǎo)體組件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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