PHD97NQ03LT_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/5.0mR 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
PHD97NQ03LT 是一款高性能N溝道MOS管，采用TO-252-2L封裝形式，專為高效能、大電流應(yīng)用設(shè)計。器件支持30V的最大漏源電壓VDSS，具備高達80A的連續(xù)漏極電流ID能力，確保在重載條件下仍能穩(wěn)定工作。其亮點在于導(dǎo)通電阻RD(on)低至5.5mΩ，極大地降低了功率損耗，提高了整體能效。適用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動等高功率場合，以出色的電氣性能為各類電子設(shè)備提供強力支持。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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