IPD30N06S2-15_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/50.0A 參數4：RDON/11.0mR 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
IPD30N06S2-15 是一款高性能N溝道MOS管，封裝類型為節(jié)省空間的TO-252-2L。它具備優(yōu)異的電氣參數最高漏源電壓VDSS高達60V，能夠承受50A的連續(xù)漏極電流，展現卓越的負載承載能力。更值得關注的是，其導通電阻僅11mR，有助于顯著降低功耗與提高系統效能。此款MOS管適用于各類開關電源、馬達驅動控制以及高效節(jié)能電子設備，是高端電源管理和電路設計的理想之選。
