FDD5353_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/50.0A 參數(shù)4：RDON/11.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款MOS管型號為FDD5353 ，采用先進(jìn)的TO-252-2L封裝技術(shù)，屬于高性能N溝道MOSFET器件。其擁有高達(dá)60V的漏源極電壓額定值和強(qiáng)大的50A連續(xù)漏極電流能力，確保了在大電流環(huán)境下的穩(wěn)定工作。導(dǎo)通電阻僅為11mΩ，有效降低了功率損耗，提升系統(tǒng)能效，特別適用于各類開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動及電池管理系統(tǒng)等高要求應(yīng)用場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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