DMN2019UTS_TSSOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TSSOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數1：N+N溝道 參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/7.5A 參數4：RDON/11.5mR 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
DMN2019UTS 是一款高品質NN溝道MOSFET，采用節(jié)省空間的TSSOP-8封裝，專為現代電子設備的小型化設計。其核心技術參數包括最大漏源電壓VDSS為20V，能承載高達7.5A的連續(xù)漏極電流ID，且具有出色的導通性能，導通電阻低至11.5mR，確保在運行期間減小功耗，提升整體能效。廣泛應用在電源轉換、電機驅動、負載開關以及各類中低電壓、中等電流的電路設計中，表現出色。
