IRFZ44NS-HXY_TO-263C_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263C 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：800圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：電壓VDS/55V 參數(shù)3：電流ID/49A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/12mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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描述: 本款消費(fèi)級N溝道MOSFET采用TO-263封裝，具有55V高耐壓及卓越的49A大電流處理能力。專為高性能、高功率開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)，廣泛應(yīng)用于各類消費(fèi)電子產(chǎn)品中，提供出色的能效與系統(tǒng)穩(wěn)定性表現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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