IRF640NPBF-HXY_TO-220C_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220C 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50管 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：電壓VDS/200V 參數(shù)3：電流ID/18A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/145mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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描述: 這款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用TO-220封裝，專為處理200V高電壓、中大電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。額定連續(xù)電流18A，廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及電池管理系統(tǒng)，具備低導(dǎo)通電阻和卓越散熱性能，是現(xiàn)代電子設(shè)備高效能功率控制的理想元件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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