并聯(lián)MOSFET設(shè)計指南:均流、寄生參數(shù)與熱平衡
在現(xiàn)代高效電源設(shè)計中,MOSFET并聯(lián)技術(shù)廣泛應(yīng)用于要求大電流承載能力的電路中,如電動汽車、電源供應(yīng)、功率放大器等。通過并聯(lián)多個MOSFET,可以大幅提高電路的電流處理能力、降低導(dǎo)通損耗,并增強系統(tǒng)的整體可靠性。然而,MOSFET并聯(lián)設(shè)計并非簡單的“多加幾個”過程,必須考慮到均流、寄生參數(shù)與熱平衡等諸多因素。本文將探討如何在實際設(shè)計中有效應(yīng)對這些挑戰(zhàn),優(yōu)化并聯(lián)MOSFET的性能。