• 將按客戶日程及時供應業(yè)界最高性能HBM4，以鞏固競爭優(yōu)勢

• 相較于HBM3E，其帶寬擴大一倍，并且能效也提升40%

• “不僅是突破AI基礎設施極限的一個標志性轉折點，更是可解決AI時代技術難題的核心產(chǎn)品”

韓國首爾，2025年9月12日——SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）12日宣布，已成功完成面向AI的超高性能存儲器新產(chǎn)品HBM4*的開發(fā)，并在全球首次構建了量產(chǎn)體系。

* 高帶寬存儲器（HBM，High Bandwidth Memory）：垂直連接多個DRAM，與現(xiàn)有的DRAM相比顯著提升數(shù)據(jù)處理速度的高附加值、高性能產(chǎn)品。HBM DRAM產(chǎn)品以HBM（第一代）-HBM2（第二代）-HBM2E（第三代）-HBM3（第四代）-HBM3E（第五代）-HBM4（第六代）的順序開發(fā)。

SK海力士表示：“公司成功開發(fā)將引領人工智能新時代的HBM4，并基于此技術成果，在全球首次構建了HBM4的量產(chǎn)體系。此舉再次向全球市場彰顯了公司在面向AI的存儲器技術領域的領導地位?！?/span>

SK海力士HBM開發(fā)擔當趙珠煥副社長表示：“HBM4的開發(fā)完成將成為業(yè)界新的里程碑。公司將及時為客戶提供在性能、能效和可靠性方面都滿足需求的產(chǎn)品，以此鞏固在面向AI的存儲器市場的競爭優(yōu)勢，并縮短產(chǎn)品上市時間（Time to Market）。”

隨著AI需求和數(shù)據(jù)處理量劇增，為實現(xiàn)更快的系統(tǒng)速度，對高帶寬*存儲器的需求也在激增。此外，數(shù)據(jù)中心巨大的耗電使得其運營負擔日益加重，存儲器的能效已成為客戶所要求的關鍵因素。借此，SK海力士有望提升帶寬和能效的HBM4將成為滿足要求的最佳解決方案。

* 帶寬（Bandwidth）：HBM產(chǎn)品中的帶寬，是指一個HBM封裝每秒可處理的數(shù)據(jù)總容量

這次全新構建量產(chǎn)體系的HBM4采用了較前一代產(chǎn)品翻倍的2048條數(shù)據(jù)傳輸通道（I/O），將帶寬擴大一倍，同時能效也提升40%以上。憑借這一突破，該產(chǎn)品實現(xiàn)了全球最高水平的數(shù)據(jù)處理速度和能效。公司預測，將該產(chǎn)品引入客戶系統(tǒng)后，AI服務性能最高可提升69%，這一創(chuàng)新不僅能從根本上解決數(shù)據(jù)瓶頸問題，還可顯著降低數(shù)據(jù)中心電力成本。

與此同時，此次HBM4實現(xiàn)了高達10Gbps（每秒10千兆比特）以上的運行速度，這大幅超越JEDEC*標準規(guī)定的8Gbps（每秒8千兆比特）。

* JEDEC（Joint Electron Device Engineering Council）：國際半導體器件標準組織，該組織決定半導體器件的規(guī)格 

公司在HBM4的開發(fā)過程中采用了產(chǎn)品穩(wěn)定性方面獲得市場認可的自主先進MR-MUF*技術和第五代10納米級（1b）DRAM工藝，最大程度地降低其量產(chǎn)過程中的風險。

* 批量回流模制底部填充（MR-MUF，Mass Reflow Molded Underfill）：在堆疊半導體芯片后，為了保護芯片間的電路，在其中填充液體保護材料，使其固化。有評價稱，與每堆一個芯片就鋪設薄膜型材料的方式相比，該技術提高了效率和散熱效果。特別是SK海力士的先進MR-MUF技術，較現(xiàn)有技術減少了芯片堆疊時所施加的壓力，提高了芯片的翹曲控制力(Warpage Control)，這是確保HBM穩(wěn)定量產(chǎn)的關鍵。

SK海力士AI Infra擔當金柱善社長（CMO，Chief Marketing Officer）表示：“此次正式宣布全球率先構建量產(chǎn)體系的HBM4，不僅是突破AI基礎設施極限的一個標志性轉折點，更是可解決AI時代技術難題的核心產(chǎn)品?！庇直硎荆骸肮緦⒓皶r供應AI時代所需的最高品質和多樣化性能的存儲器，致力成為‘全方位面向AI的存儲器供應商（Full Stack AI Memory Provider）’?！?/span>