臺積電已確認將在兩年內退出氮化鎵（GaN）代工業(yè)務，關閉位于中國臺灣新竹科學園區(qū)的6英寸Fab 2晶圓廠。此外，該公司預計將整合其三座8英寸晶圓廠——Fab 3、Fab 5和Fab 8，并將最多30%的員工重新部署至南部科學園區(qū)（STSP）和高雄的工廠，以彌補勞動力短缺、降低成本并優(yōu)化資產利用率。

半導體設備制造商表示，臺積電已為其老廠制定新的規(guī)劃。6英寸工廠預計將被改造成CoPoS面板級封裝工廠，而8英寸晶圓廠將轉變到新方向：啟動EUV掩膜保護膜的內部生產，以減少對ASML及其供應鏈的依賴。

該戰(zhàn)略凸顯了臺積電致力于利用其研發(fā)和制造實力，在降低成本的同時提高先進節(jié)點的EUV良率。這不僅鞏固了其領先于競爭對手的前沿地位，還可能在更廣泛的EUV生態(tài)系統(tǒng)中創(chuàng)造對設備和材料的新需求。

臺積電新竹科學園區(qū)的8英寸Fab 3晶圓廠將經歷最重要的變革，成為內部EUV保護膜研發(fā)的中心。

過去十年，臺積電在先進工藝節(jié)點上投入創(chuàng)紀錄資金，遙遙領先于競爭對手。但隨著摩爾定律觸及物理極限，強行高投入的優(yōu)勢正在逐漸消退。

EUV光刻技術開啟新的工藝節(jié)點，但成本高昂：ASML EUV光刻機的價格約為1.5億美元，而最新的ASML High NA（高數值孔徑）EUV系統(tǒng)的價格超過3.5億美元。隨著成本不斷攀升，臺積電已減少High NA的訂單，并正在探索其他方法來提高EUV良率并控制成本。

保護膜技術已成為關鍵。經過多年的發(fā)展，臺積電預計將在Fab 3晶圓廠投產，從而減少對ASML相關供應商的依賴，同時提高良率和成本效益。

與深紫外（DUV）光刻技術不同，EUV需要采用新的掩模版和保護膜方法。保護膜可阻擋顆粒污染，但傳統(tǒng)的有機保護膜缺乏EUV所需的透明度和穩(wěn)定性。因此，大多數晶圓廠在運行時無需保護膜，需要不斷進行檢查。每個缺陷都會導致昂貴的掩模版維修或更換，從而減慢生產速度。

ASML和其他公司正在進行保護膜研發(fā)，但高昂的技術壁壘阻礙了其大規(guī)模應用。臺積電認為保護膜對于7nm以下工藝至關重要，并已加快其內部研發(fā)進程。

分析師表示，臺積電自有的保護膜將優(yōu)化工作流程、提高良率、擴大產能并降低成本，從而提升盈利能力并擴大領先地位。盡管保護膜專利問題仍未解決，但設備和材料供應商可能會受益于臺積電轉型帶來的新基礎設施需求。

隨著向2nm以下工藝生產邁進并擴展CoWoS封裝技術，臺積電自2025年初以來一直在精簡舊晶圓廠。臺積電已向世界先進（VIS）和恩智浦半導體在新加坡的合資企業(yè)VSMC出售價值7100萬~7300萬美元的設備，目前正準備進一步整合其位于新竹的6英寸和8英寸晶圓廠。

據TechInsights稱，瑞薩電子已與Polar半導體合作開發(fā)下一代d型GaN，而中國大陸企業(yè)正在加速GaN項目。包括德州儀器和英飛凌在內的全球IDM廠商也在擴大內部GaN產能。

消息人士稱，臺積電退出GaN領域凸顯了中國大陸競爭對手在第三代半導體市場激烈的價格競爭。這家6英寸晶圓廠將轉向先進封裝，重點是CoPoS先進封裝。（校對/趙月）