臺積電硅光子 技壓英特爾
關(guān)鍵詞: 臺積電 硅光子技術(shù) 英偉達 CPO技術(shù) 硅光子專利 COUPE技術(shù) 硅光子與AI
臺積電強攻硅光子技術(shù),技壓英特爾。日媒披露,臺積電在美國最新硅光子申請專利數(shù)量較英特爾多近一倍。硅光子是英偉達下一代AI服務(wù)器高速傳輸必備技術(shù),臺積電重兵部署,打造強大專利能量,集結(jié)旗下封裝大廠采鈺大進擊,技壓群雄,搶攻AI大商機。
臺積電大客戶英偉達是推動硅光子技術(shù)導入商品化的關(guān)鍵動能。英偉達日前于“HotChips 2025”大會上,首次展示采用共封裝光學(CPO)元件的Spectrum-X交換器,宣告此技術(shù)已進入實現(xiàn)階段,即將推出商用產(chǎn)品,宣告CPO浪潮快速崛起。
隨著AI數(shù)據(jù)傳輸量愈來愈大,硅光子成為打造超高速傳輸?shù)年P(guān)鍵技術(shù),吸引英偉達積極投入,同步引爆商機。業(yè)界指出,英偉達將于下世代Rubin平臺大量導入硅光子技術(shù),采用CoWoS與SoIC等2.5D 3D封裝,并引入硅光子與可能的CPO協(xié)同,降低電互連瓶頸與功耗。
臺積電積極投入硅光子研究,之前于2025年北美技術(shù)論壇中,強調(diào)硅光子技術(shù)的整合進展,特別是其研發(fā)的緊湊型通用光子引擎(COUPE)技術(shù),通過將電子裸晶堆疊在光子裸晶之上,以應(yīng)對AI發(fā)展帶來的數(shù)據(jù)傳輸爆炸性增長。
臺積電規(guī)劃,將于2025年完成COUPE驗證,并于2026年整合至CoWoS封裝,成為共同封裝光學元件,以期通過更高性能的連結(jié)來推動AI轉(zhuǎn)型。
臺積電并與ASIC暨高速網(wǎng)絡(luò)芯片大廠邁威爾深化合作,鎖定3nm以下制程與下一代硅光子技術(shù),擴大進擊硅光子商機。
臺積電也建立厚實的光通信數(shù)據(jù)庫,作為后續(xù)搶市強大依靠。日媒使用知名專利情報網(wǎng)站Patentfield的工具后發(fā)現(xiàn),臺積電2024年在美國申請50件硅光子相關(guān)專利,數(shù)量比英特爾的26件多了近一倍。
2023年時,臺積電、英特爾硅光子專利申請數(shù)勢均力敵(分別為46件、43件)。此前,英特爾硅光子相關(guān)專利申請數(shù)遠超過臺積電。如今臺積電順利超車,據(jù)報導,英特爾在研發(fā)上居于領(lǐng)先,不過在實際應(yīng)用上、被臺積電超越,臺積電規(guī)劃2026年量產(chǎn)使用最新CPO,反觀英特爾僅止于研發(fā)/實證階段。
臺積電并攜手子公司采鈺共同揮軍硅光子商機,業(yè)界傳出,雙方將進一步整合硅光子、CPO等技術(shù),有望成為采鈺后續(xù)運營的另一個動能。
業(yè)界分析,采鈺具備晶圓級光學薄膜制程,能夠往光耦合接收端與發(fā)射端的對準、光效能強化以及積體光路(PIC)晶片領(lǐng)域發(fā)展,同時將可利用微透鏡(Metalens)增加客戶光傳輸耦合效率。
