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JSM21867STR 4A 700V集成BSD單相高低側(cè)同相柵極驅(qū)動芯片

2025-08-22 來源: 作者:深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 原創(chuàng)文章
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關(guān)鍵詞: JSM21867STR IRS21867 柵極驅(qū)動芯片 參數(shù)對標(biāo) 多場景應(yīng)用

在功率電子領(lǐng)域,柵極驅(qū)動芯片是連接控制電路與功率器件的 “橋梁”,其性能直接決定了整機(jī)的效率、可靠性與安全性。今天給大家推薦一款國產(chǎn)高性能驅(qū)動芯片 ——JSM21867STR,來自杰盛微半導(dǎo)體(JSMSEMI),不僅參數(shù)硬核,更能直接替代 IRS21867,為電機(jī)驅(qū)動、電源轉(zhuǎn)換等場景提供高性價比解決方案。

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一、產(chǎn)品概述


JSM21867S是一款高壓、高速功率MOSFET/IGBT高低側(cè)驅(qū)動芯片,具有兩個獨(dú)立地傳輸通道。內(nèi)部集成了高、低側(cè)欠壓鎖定電路、過壓鉗位電路等保護(hù)電路,具備大電流脈沖輸出能力,邏輯輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平,輸出電流能力最大可達(dá)4A,其浮地通道最高工作電壓可達(dá)700V??捎糜隍?qū)動N溝道高壓功率MOSFET/IGBT等器件。IRS21867S采用SOP-8封裝,可以在-40℃至125℃溫度范圍內(nèi)工作。


二、核心產(chǎn)品特性


  • 自舉工作的浮動通道

  • 最高工作電壓為 700V兼容

  •  3.3V, 5V和 15V 輸入邏輯

  • dv/dt 耐受能力可達(dá)+50 V/nsec

  • Vs負(fù)壓耐受能力達(dá)-9V

  • 柵極驅(qū)動電壓:10V到20V

  • 高、低側(cè)欠壓鎖定電路

    --欠壓鎖定正向閩值6V

    --欠壓鎖定負(fù)向閥值 5.5V

  • 芯片開通/關(guān)斷傳輸延時

    --Ton/Toff =150ns/150ns

  • 高低側(cè)延時匹配

  • 驅(qū)動電流能力:

    ----拉電流/灌電流=4.0A/4.0A

  • 符合 RoSH 標(biāo)準(zhǔn)

    SOP-8


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三、核心參數(shù)大起底:700V 高壓 + 4A 大電流,性能毫不遜色


作為一款專為高壓功率場景設(shè)計(jì)的驅(qū)動芯片,JSM21867STR 的參數(shù)表堪稱 “教科書級別”。它支持最高 700V 工作電壓,浮地通道設(shè)計(jì)讓其輕松應(yīng)對高壓母線環(huán)境,無論是驅(qū)動 N 溝道高壓 MOSFET 還是 IGBT,都能穩(wěn)定輸出驅(qū)動力。


驅(qū)動能力上更是 “底氣十足”:拉電流和灌電流均可達(dá) 4.0A,大電流脈沖輸出能力確保功率器件快速開關(guān),大幅減少開關(guān)損耗。動態(tài)響應(yīng)同樣出色,開通傳輸延時(Ton)和關(guān)斷傳輸延時(Toff)均低至 150ns,高低側(cè)延時匹配誤差≤35ns,高速響應(yīng)特性讓電路動態(tài)性能更優(yōu)。


兼容性方面,它支持 3.3V、5V、15V 多電平邏輯輸入,無需額外電平轉(zhuǎn)換電路即可適配不同控制系統(tǒng),極大簡化了電路設(shè)計(jì)。更值得一提的是其強(qiáng)悍的抗干擾能力:dV/dt 耐受能力達(dá) + 50V/nsec,Vs 引腳負(fù)壓耐受能力達(dá) - 9V,能有效抵御開關(guān)過程中產(chǎn)生的尖峰干擾,減少誤動作風(fēng)險。



四、應(yīng)用場景全覆蓋,從家電到工業(yè)無一不精


憑借優(yōu)異的性能,JSM21867STR 的應(yīng)用場景十分廣泛:


  • 電機(jī)驅(qū)動與控制:無刷電機(jī)、伺服驅(qū)動器中,高低側(cè)同步驅(qū)動能力確保電機(jī)平穩(wěn)運(yùn)行;

  • 電動工具:大電流驅(qū)動特性適配高速運(yùn)轉(zhuǎn)需求,提升工具續(xù)航與效率;

  • 電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng):逆變器、DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,高壓耐受與低延時特性減少能量損耗;

  • 家電設(shè)備:冰箱、空調(diào)等白色家電的壓縮機(jī)驅(qū)動,可靠性設(shè)計(jì)延長整機(jī)壽命。


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五、引腳功能描述


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極限與推薦范圍:

  • 結(jié)溫(TJ)最高 150℃,存儲溫度(Ts)-55℃至 150℃,引腳溫度(TL)最高 300℃。

  • 封裝功率(PD):0.625W(TA≤25℃),結(jié)到環(huán)境熱阻(RthJA)200℃/W。


ESD 額定值:

  • 人體放電模式:最小值 1.5kV;機(jī)器放電模式:最小值 500V。


電氣特性(TA=25℃,VCC=VB=15V,CL=1nF):

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六、替代 IRS21867?這三大優(yōu)勢讓替換毫無壓力


對于正在使用 IRS21867 的工程師來說,JSM21867STR 堪稱 “即插即用” 的理想替代方案,核心優(yōu)勢體現(xiàn)在三個方面:


1. 封裝與引腳完全兼容
JSM21867STR 采用與 IRS21867 相同的 SOP-8 封裝,引腳定義與功能一一對應(yīng):1 腳 VCC(電源)、2 腳 HIN(高側(cè)輸入)、3 腳 LIN(低側(cè)輸入)、4 腳 COM(地)、5 腳 LO(低側(cè)輸出)、6 腳 VS(高側(cè)浮動地)、7 腳 HO(高側(cè)輸出)、8 腳 VB(高側(cè)浮動電源)。無需修改 PCB 布局即可直接替換,完美繼承原有設(shè)計(jì)成果。


2. 核心參數(shù)全面對標(biāo)
對比關(guān)鍵性能指標(biāo),JSM21867STR 在驅(qū)動電流、耐壓能力、保護(hù)閾值等核心參數(shù)上均達(dá)到或優(yōu)于 IRS21867 水平。例如,兩者均集成高 / 低側(cè)欠壓鎖定電路,JSM21867STR 的欠壓鎖定正向閾值為 6V、負(fù)向閾值為 5.5V,與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)高度匹配,確保供電不足時的安全保護(hù)。


3. 工業(yè)級可靠性更勝一籌
JSM21867STR 的工作溫度范圍覆蓋 - 40℃至 125℃,結(jié)溫(TJ)最高可達(dá) 150℃,存儲溫度(Ts)范圍 - 55℃至 150℃,完全滿足工業(yè)級寬溫環(huán)境需求。ESD 防護(hù)能力同樣出色,人體放電模式(HBM)達(dá) 1.5kV,機(jī)器放電模式(MM)達(dá) 500V,抗靜電能力確保生產(chǎn)與使用過程中的可靠性。



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