一、產(chǎn)品概述

JSM2006G是一款高壓、高速功率 MOSFET 高低側(cè)驅(qū)動芯片。具有獨立的高側(cè)和低側(cè)參考輸出通道。JSM2006G采用高低壓兼容工藝使得高、低側(cè)柵驅(qū)動電路可以單芯片集成，邏輯輸入電平兼容低至3.3V 的CMOS 或 LSTTL 邏輯輸出電平。

JSM2006G其浮動通道可用于驅(qū)動高壓側(cè)道功率 MOSFET，浮地通道最高工作電壓可達(dá)600VJSM2006G采用SOP-8封裝，可以在-40℃至125℃溫度范圍內(nèi)工作。

 二、核心特性

功能全覆蓋，驅(qū)動能力更穩(wěn)定

JSM2006G 采用單芯片集成高、低側(cè)柵驅(qū)動電路，配備獨立的高側(cè)和低側(cè)參考輸出通道，通過自舉工作的浮地通道驅(qū)動高壓側(cè) N 溝道功率 MOSFET，與 PT5606、KP85302 的核心驅(qū)動功能完全兼容。無論是電機正反轉(zhuǎn)控制還是逆變器功率調(diào)節(jié)，都能穩(wěn)定輸出驅(qū)動信號，確保設(shè)備高效運行。

關(guān)鍵參數(shù)硬實力，適配多場景需求

• 高壓耐壓更可靠：最高芯片耐壓達(dá) 650V，浮地通道最高工作電壓 600V，足以應(yīng)對各類高壓驅(qū)動場景，保障電路安全；

• 寬電壓邏輯兼容：支持 3.3V、5V、15V 輸入邏輯，兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 電平，與主流控制芯片無縫對接，無需額外電平轉(zhuǎn)換；

• 強抗干擾與保護(hù)：dVs/dt 耐受能力達(dá) ±50V/ns，Vs 負(fù)偏壓能力 - 9V，有效抵御電壓瞬變干擾；集成 VCC、VBS 欠壓鎖定電路和 130ns 死區(qū)時間防直通保護(hù)，避免芯片過壓損壞。

這些參數(shù)不僅覆蓋 PT5606、KP85302 的性能需求，更在穩(wěn)定性和抗干擾能力上實現(xiàn)升級，降低設(shè)備故障率。

三、引腳功能描述

四、關(guān)鍵電氣規(guī)格

4.1極限工作范圍（TA=25℃，以 VSS 為參考）

4.2 推薦工作范圍

4.3 電氣特性（VCC=VBS=15V，Ta=25℃）

五、替代場景無縫切換，應(yīng)用領(lǐng)域廣泛

JSM2006G 的高兼容性使其在以下場景中可直接替代 PT5606、KP85302，無需大幅調(diào)整電路設(shè)計：

電機控制：工業(yè)電機、家電電機的正反轉(zhuǎn)驅(qū)動，精準(zhǔn)控制轉(zhuǎn)速與扭矩；

家電設(shè)備：空調(diào)壓縮機、洗衣機電機驅(qū)動，提升運行效率與穩(wěn)定性；

通用逆變器：光伏逆變器、車載逆變器等功率轉(zhuǎn)換設(shè)備，保障高壓側(cè) MOSFET 可靠開關(guān)；

高速風(fēng)筒：專為高速風(fēng)筒設(shè)計的驅(qū)動方案，適配高轉(zhuǎn)速電機需求。

六、杰盛微品質(zhì)保障，替代更放心

作為國產(chǎn)半導(dǎo)體企業(yè)，杰盛微半導(dǎo)體專注于功率驅(qū)動芯片研發(fā)，JSM2006G 經(jīng)過嚴(yán)苛的可靠性測試，在一致性、穩(wěn)定性和供貨能力上具備優(yōu)勢。選擇 JSM2006G 替代 PT5606、KP85302，不僅能獲得同等甚至更優(yōu)的性能，還能享受本土化技術(shù)支持與靈活的供貨服務(wù)，降低采購與維護(hù)成本。

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