2025 年第二季度，韓國存儲巨頭 SK 海力士以 21.8 萬億韓元的銷售額，首次超越長期占據榜首的三星電子（21.2 萬億韓元），奪得全球存儲市場（含 DRAM 和 NAND）銷售額冠軍。

雙方業(yè)績：SK 海力士逆勢增長，三星持續(xù)承壓

數據顯示，SK 海力士第二季度表現(xiàn)亮眼，不僅銷售額創(chuàng)下歷史新高，其營業(yè)利潤也同步攀升，核心驅動力來自高帶寬內存（HBM）的技術領先優(yōu)勢。作為英偉達等 AI 芯片巨頭的核心供應商，SK 海力士憑借 HBM 產品在 AI 服務器需求熱潮中的強勢表現(xiàn)，實現(xiàn)了定價能力與市場份額的雙重突破，甚至在 DRAM 細分市場中首次超越三星。

資料來源：Counterpoint Research

反觀三星電子，第二季度存儲業(yè)務營收同比下降 3%，HBM 市場份額從去年同期的 41% 大幅滑落至 17%，落后于 SK 海力士、美光等競爭對手。其業(yè)績承壓主要源于兩方面：一是美國對華出口限制制約了存儲芯片銷售渠道，導致庫存價值減記(存貨減值) ；二是 HBM 產品在技術公信力與客戶拓展上進展滯后，尚未通過英偉達等核心客戶的嚴苛質量測試。

從利潤端看，兩家企業(yè)的差距更為明顯。SK 海力士憑借 HBM 業(yè)務的高毛利，營業(yè)利潤持續(xù)增長；而三星電子芯片部門第二季度盈利僅 4000 億韓元，較去年同期的 6.5 萬億韓元大幅縮水，為六個季度以來首次低于 1 萬億韓元。

轉折背后：技術與戰(zhàn)略的分野

SK 海力士的逆襲并非偶然。2023 年第一季度，該公司曾經歷 3.4 萬億韓元的大規(guī)模虧損，但通過持續(xù)優(yōu)化生產效率、聚焦 HBM 等前沿技術，成功實現(xiàn)業(yè)績反彈。其在 HBM 領域的技術前瞻性，使其成為 AI 浪潮中的 “關鍵供應商”——HBM 作為 AI 服務器與 GPU 協(xié)同工作的核心組件，直接影響 AI 模型的訓練效率，而 SK 海力士憑借技術壁壘牢牢占據市場主導地位。

三星電子則在 HBM 競賽中逐漸掉隊。分析指出，除外部出口限制外，其 HBM 產品良率穩(wěn)定性不足、客戶拓展緩慢是主要內因。Counterpoint Research 分析師 Jeongku Choi 認為，三星若想收復失地，需加快擴大 HBM3E 客戶群，并通過英偉達的質量認證，為下一代 HBM4 供應英偉達 Rubin 平臺奠定基礎。

未來展望：競爭與轉機并存

對于 SK 海力士而言，盡管當前優(yōu)勢顯著，但市場擔憂其領先地位的持久性。三星與美光正加速追趕 HBM 技術，行業(yè)預計 2025 年至 2026 年將是關鍵競爭期。不過 SK 海力士表示，得益于客戶庫存穩(wěn)定及新產品需求預期，下半年市場需求大幅波動的可能性較低。

三星電子的轉機可能來自代工業(yè)務。近期其晶圓代工業(yè)務獲得特斯拉 165 億美元訂單，外界期待這一合作能緩解其整體業(yè)績壓力。但在存儲核心業(yè)務上，如何重獲技術與市場主動權，仍是三星亟待解決的問題。

這場存儲市場的 “新舊交替”，或將重塑全球半導體產業(yè)的競爭格局。