在電源管理領(lǐng)域，高效、可靠的功率器件是提升系統(tǒng)性能的關(guān)鍵。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，結(jié)合SGT屏蔽柵技術(shù)，推出全新N溝道增強(qiáng)型MOSFET系列產(chǎn)品，其中MDDG10R08G采用PDFN5*6-8L封裝，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，以其卓越的開(kāi)關(guān)性能與低導(dǎo)通電阻，成為同步整流、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用的理想選擇。

一、核心性能

1. 低導(dǎo)通電阻，高效節(jié)能  

在VGS=10V、ID=35A條件下，最大導(dǎo)通電阻（RDS(on)）僅為8mΩ（典型值6mΩ），顯著降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率。  

支持4.5V低柵極驅(qū)動(dòng)電壓（Max RDS(on)=11mΩ@30A），適配低壓控制場(chǎng)景。

2. 快速開(kāi)關(guān)與低反向恢復(fù)電荷  

優(yōu)化動(dòng)態(tài)性能：開(kāi)啟延遲時(shí)間11ns，關(guān)斷延遲時(shí)間33ns，適應(yīng)高頻開(kāi)關(guān)需求。  

超低反向恢復(fù)電荷（Qrr=71nC）和軟恢復(fù)特性，減少開(kāi)關(guān)噪聲，提升EMC表現(xiàn)。

3. 高可靠性設(shè)計(jì)  

100V耐壓設(shè)計(jì)，支持75A連續(xù)電流與240A脈沖電流，滿足嚴(yán)苛負(fù)載條件。  

產(chǎn)品100% 通過(guò)UIS（無(wú)鉗位電感開(kāi)關(guān)）測(cè)試，單脈沖雪崩能量（Eas）達(dá)130mJ，確?？箾_擊能力。  

工作溫度范圍-55°C至+150°C，適應(yīng)工業(yè)級(jí)環(huán)境。             

   

二、電性曲線圖

三、典型應(yīng)用場(chǎng)景  

1. 快充與電源適配器  

適用于AC/DC同步整流電路，低導(dǎo)通損耗與快速開(kāi)關(guān)特性可顯著提升充電效率，減少發(fā)熱。  

2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)與UPS系統(tǒng)  

高電流承載能力與抗雪崩特性，保障電機(jī)啟停和突發(fā)負(fù)載下的穩(wěn)定運(yùn)行。  

3. 光伏微逆變與電池管理  

低柵極驅(qū)動(dòng)電壓需求適配太陽(yáng)能MPPT控制，高效能量轉(zhuǎn)換；在BMS中實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)充放電管理。  

四、選型推薦

Part Number	Type	BVDSS(V)	ID (A)	VGS (V)	ESD	RDS(ON) (mΩ) VGS=10V		RDS(ON) (mΩ) VGS=4.5V		RDS(ON) (mΩ) VGS=2.5V		VGS(th) (V)		Package
						Typ.	Max.	Typ.	Max.	Typ.	Max.	Min.	Max.
MDDG10R08P	N	100	70	±20	N	7	8	8	10	一	一	1	2.5	TO-220C-3L
MDDG10R08G	N	100	70	±20	N	7	8	8	10	一	一	1	2.5	PDFN5*6-8L
MDDG10R08D	N	100	70	±20	N	7	8	8	10	一	一	1	2.5	TO-252
MDDG10R20D	N	100	30	±20	N	13.8	20	17.4	26	一	一	1.4	2.5	TO-252
MDDG10R04P	N	100	130	±20	N	3.2	4.4	一	一	一	一	2	4	TO-220C-3L

除了MDDG10xx系列，MDD還新推出一系列低壓大電流系列MOS針對(duì)不同的應(yīng)用場(chǎng)景，提供多封裝如Toll、PDFN3*3、PDFN5*6、TO-220C-3L、TO-252、TO-263、SOP-8、SOT-26、SOT-23等，以滿足各行業(yè)匹配需求。