據(jù)悉，高溫超導磁控硅單晶生長裝備、技術(shù)及應用的關(guān)鍵在于引入高溫超導磁體技術(shù)，針對高品質(zhì)大尺寸硅單晶生長技術(shù)瓶頸，研制出高溫超導磁控硅單晶生長裝備，形成了大尺寸硅單晶長棒快速、高穩(wěn)定性、低含氧量的生長工藝，實現(xiàn)了大尺寸（12吋以上）高品質(zhì)硅單晶的生產(chǎn)，經(jīng)濟和社會效益十分顯著。

根據(jù)項目報告顯示，該公司自主研發(fā)的高溫超導磁控硅單晶生長設備及技術(shù)可將硅片含氧量穩(wěn)定控制在5ppma以下，硅棒頭尾利用率提升4%以上，生產(chǎn)效率提升12%，目前已拉出直徑達340mm的高品質(zhì)硅棒。

甘子釗院士在評審中說：“這是國際上首次將高溫超導技術(shù)應用于磁控直拉單晶生長，為高溫超導技術(shù)產(chǎn)業(yè)化做了很多開創(chuàng)性的工作，開辟了超導技術(shù)產(chǎn)業(yè)化新賽道。”他特別提到，該技術(shù)對實現(xiàn)“雙碳”目標具有戰(zhàn)略意義。

專家委員會認為該項目解決了磁控條件下大尺寸硅單晶生長爐高溫度均勻性節(jié)能型熱場設計、模塊化大尺寸傳導冷卻高溫超導磁體設計、電﹣磁﹣熱﹣流體多場耦合下硅單晶生長分析與控制等關(guān)鍵技術(shù)難題，取得了多項創(chuàng)新性技術(shù)成果，研制出高溫超導磁控硅單晶生長裝備，在生產(chǎn)實踐中得到了應用，表明該項目總體技術(shù)水平已達國際領(lǐng)先。

此次鑒定會的成功，標志著我國在超導技術(shù)產(chǎn)業(yè)化應用領(lǐng)域邁出里程碑式一步。在“雙碳”目標與半導體自主可控的雙重驅(qū)動下，高溫超導磁控技術(shù)的突破，正為萬億級新能源與半導體產(chǎn)業(yè)注入全新動能。

（科技日報記者 魏依晨 攝）