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SiC大規(guī)模上車,三原因成加速上車“推手”

2022-12-27 來源: 作者:深圳市中電網(wǎng)絡技術有限公司
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2022年功率半導體技術與應用研討會透露,國內(nèi)主流車廠都投入了800V高壓快充技術,部分車企今年已經(jīng)推出了上市車型,明年主力車型都會配置高壓快充功能。各車廠將在高壓快充全新賽道上一比高下,與之相匹配的SiC(碳化硅)產(chǎn)業(yè)鏈有望駛入產(chǎn)業(yè)化快車道。然而,碳化硅還有價格和產(chǎn)品結構二個攔路虎,我們看看與會專家的意見分析。今年9月以來,搭載800V高壓SiC器件的量產(chǎn)電動汽車陸續(xù)上市。小鵬汽車G9旗艦SUV搭載800V高壓SiC平臺,主要賣點就是超級快充。小鵬汽車董事長兼CEO何小鵬表示,小鵬G9是全球充電最快的量產(chǎn)電動汽車,可實現(xiàn)“充電5分鐘,續(xù)航超200公里。”極氪智能旗下威睿電動汽車技術有限公司正式發(fā)布了600kW超充技術,并已實現(xiàn)量產(chǎn),據(jù)稱可實現(xiàn)充電5分鐘續(xù)航里程增加300公里。哪吒汽車發(fā)布浩智800V SiC高性能電驅系統(tǒng)將在2023年搭載上車。

 

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SiC更適合電動汽車快充


目前電動汽車續(xù)航里程已經(jīng)普遍達到500公里以上,基本可以解決大部分人的出行需求,但充電補能問題仍是新能源汽車普及的最大阻礙。截至2021年底,國內(nèi)電動汽車的車樁比僅為3:1,距離國家《電動汽車充電基礎設施發(fā)展指南(2015-2020年)》要求的1:1水平相去甚遠。這兩年,車廠集體將目光投向800V高壓快充。目前,電動汽車補能主要有兩種方式:快充和換電。換電是蔚來汽車主推的,而大多數(shù)車企主導的是快充方式??斐浞譃榇箅娏骱透唠妷簝煞N。目前,電動汽車快充主流產(chǎn)品,即傳統(tǒng)硅基IGBT功率器件,正在逼近材料特性極限,而下一代半導體材料SiC是更好的材料,尤其是800V高壓以上時,性能優(yōu)勢更加明顯SiC有更小的開關損耗、更高電壓等級、更高的工作溫度,更適合電動汽車等超大功率應用場景。但是,SiC目前還不太成熟,材料缺陷率還有待改善,器件設計結構有待優(yōu)化,價格較高,但肯定是未來的方向。

 

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SiC投資陸續(xù)開花結果


功率器件是電動汽車電力電子系統(tǒng)的“心臟”,承擔著對電能進行轉換和控制的作用,電動汽車對其需求巨大。電動汽車飛速發(fā)展,也給了中國企業(yè)底氣。中國企業(yè)集體在功率器件新賽道SiC產(chǎn)業(yè)鏈上發(fā)力,包括材料、器件、設備等各環(huán)節(jié),投資相當火熱。今年下半年,這些投資陸續(xù)開花結果,各種好消息接踵而至。

 

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11月24日,由中建二局承建的深圳市2022年重大項目——第三代半導體產(chǎn)業(yè)園項目廠房區(qū)域全面封頂。該項目建成后,將彌補國內(nèi)6英寸SiC單晶襯底和外延產(chǎn)能缺口,為軌道交通、新能源汽車、智能電網(wǎng)等領域提供原材料保障。該項目投資方深圳市重投天科半導體有限公司的第一大股東,是行業(yè)龍頭天科合達。11月中旬,天科合達舉辦了“8英寸導電型SiC襯底”新產(chǎn)品發(fā)布會,預計項目明年量產(chǎn)。這一量產(chǎn)時間,緊跟全球步伐。


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IDM產(chǎn)能提升

長期保供協(xié)議

中國高端車比例提升

 

當下,SiC能比預測得更快更多上車,主要因素可從產(chǎn)能結構調(diào)整、供需關系、市場營銷來進行分析:一是以一線IDM對供應鏈進行了高度的整合,實現(xiàn)了SiC器件產(chǎn)能的持續(xù)提升,為SiC器件的大批量上車提供了先決條件;二是IDM與Tie One簽訂有長期保供協(xié)議,可以在最大程度上保障車企客戶的用料需求;三是國內(nèi)新能源車型正逐步向多元化發(fā)展,中高端客戶的占有率保持多年增長。碳化硅器件一方面為中高端客戶提供了更為優(yōu)質的駕乘體驗,另一方面有效緩解了電動汽車的續(xù)航焦慮問題,因此廣受新能源車企的青睞。

 

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從功率半導體供應商的角度來看,成本只是限制SiC大規(guī)模上車的一個很小因素,更多是因客戶需求與SiC功率器件產(chǎn)能不匹配造成的結果。

 

碳化硅MOSFET作為大功率器件,相較于硅基IGBT,更多的是起到互補作用。碳化硅MOSFET在一些特定場景具有硅基IGBT所不具備的特性,在電動汽車市場填補了空白。但在太陽能等場景下,碳化硅MOSFET的優(yōu)勢就無法完整地展現(xiàn),因此碳化硅在這些場景下更多地是以混合模塊的形式出現(xiàn)。因此,SiC MOSFET會長期地與硅基IGBT以互補的方式相存在。

 

另外,汽車無疑是SiC最大的應用市場,且業(yè)內(nèi)預計到2025年,汽車電子功率器件領域采用SiC技術的占比會超過20%,因此意法半導體、英飛凌、安森美等都在產(chǎn)能擴張、產(chǎn)業(yè)整合、技術創(chuàng)新等方面積極布局,以搶占領先地位。

 

影響到SiC器件可靠性、良率的襯底部分占整個價值量將近50%。為抓住供應鏈的“靈魂”,并提供高效可靠的功率器件,碳化硅領域的頭部玩家都紛紛加速垂直整合。全球范圍內(nèi),SiC這一產(chǎn)業(yè)鏈目前呈現(xiàn)出多極化趨勢,國際大廠均通過收購等方式構建出一條從晶錠生長-晶圓外延-芯片刻蝕-電氣封裝的完整產(chǎn)業(yè)鏈,逐步擺脫對于單一原料來源的依賴,并在此基礎上實現(xiàn)有序擴產(chǎn)。

 

總結:


伴隨全球越來越多的車企量產(chǎn)800V高壓平臺方案,SiC功率半導體也成為必然選擇.800V高壓平臺的落地,對于SiC器件而言更多起到錦上添花的作用。電動汽車是SiC最大的應用市場,雖然SiC還存在材料缺陷、價格較高等問題,但肯定是未來的發(fā)展方向。

 

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